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开关电源设计制作学习园地 -> 功率开关管(MOSFET、晶体管GTR、二极管、IGBT等) -> 开发设计人员如何正确选用MOSFET
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saber





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[20 楼] | Posted: 2008-12-11 16:49 顶端
saber





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[21 楼] | Posted: 2008-12-11 16:50 顶端
saber





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选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。


基于开关性能的重要性,新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电


[22 楼] | Posted: 2008-12-11 16:57 顶端
saber





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选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。


基于开关性能的重要性,新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电


[23 楼] | Posted: 2008-12-11 16:58 顶端
liangzuolin





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学习了!


[24 楼] | Posted: 2008-12-13 21:52 顶端
一个一个





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开关电源设计和制作学习园地, 让我们一起来学习开关电源的设计和开关电源的制作吧。(该用户被禁言, 严禁灌水!)


[25 楼] | Posted: 2008-12-14 20:17 顶端
nathon





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电压,电流,发热,工作频率


[26 楼] | Posted: 2008-12-16 16:58 顶端
onoffpower





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这个问题一直再脑中存在很久,也一直想找个完美的管子,先回复,再好好拜读楼主的文章。


[27 楼] | Posted: 2008-12-29 01:07 顶端
showing





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[28 楼] | Posted: 2009-01-01 11:47 顶端
淮上望月





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感谢LZ,呵呵


[29 楼] | Posted: 2009-01-07 16:15 顶端
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